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“供应应广单片机PMC131/PMS131/PMS130”参数说明
| 封装： | DIP | 功能结构： | 数/模混合集成电路 |
| 制作工艺： | 半导体集成电路 | 导电类型： | 双极型 |
| 外形： | 双列直插型 | 集成度高低： | 大规模集成电路 |
| 应用领域： | 标准通用 | 型号： | PMC131 |
| 规格： | 1 | 商标： | 1 |
| 包装： | 1 | 产量： | 100000000000 |
“供应应广单片机PMC131/PMS131/PMS130”详细介绍
1. 单片机特点
1.1. 系列特点
PMC131 系列：
高抗干扰（High EFT）系列
工作温度范围：-40°C ~ 85°C
PMS131, PMS130 系列：
通用系列
请勿使用于AC阻容降压供电，强电源纹波，或高EFT要求之应用
工作温度范围：-20°C ~ 70°C
1.2. 系统功能
时钟源：内部高频RC 振荡器（IHRC）、内部低频RC 振荡器（ILRC）、外部晶振
内置Band-gap 硬件模块输出1.20V 参考电压
内置一个硬件16 位计数器
内置两个硬件8 位计数器并可提供PWM 模式输出
内置一个12 通道 12 位分辨率 A/D 转换器
提供ADC 参考高电压: 外部输入, 内部VDD, Band-gap 1.20V, 4V, 3V, 2V
提供单周期（1T）8x8 硬件乘法器
提供快速唤醒模式
8 段LVR 设定~ 4.1V, 3.6V, 3.1V, 2.8V, 2.5V, 2.2V, 2.0V, 1.8V
14 个IO 引脚
四个可选择的外部中断引脚
每一IO 引脚都可以单独设置系统唤醒功能
工作电压：2.2V ~ 5.5V
工作频率与电压（晶体模式与IHRC 内部高频RC 振荡器模式相同）
DC ~ 8MHz@VDD≧3.1V DC ~ 4MHz@VDD≧2.5V
DC ~ 2MHz@VDD≧2.2V
低功耗特性：
Ioperating ~ 1.7mA@1MIPS, VDD=5.0V; Ioperating ~ 15uA@VDD=3.3V, ILRC 21kHz
Ipowerdown ~ 2uA@VDD=5.0V; Ipowerdown ~ 1uA@VDD=3.3V
1.3. 高性能RISC CPU 架构
工作模式：单一处理单元运作模式
1.5K OTP 程序存储器
88 Bytes 数据存储器
提供86 条指令
大部份指令都是单周期（1T）指令
弹性化的堆栈深度，可程序设定
提供数据与指令的直接、间接寻址模式
所有的数据存储器都可当数据指针（index pointer）
1.1. 系列特点
PMC131 系列：
高抗干扰（High EFT）系列
工作温度范围：-40°C ~ 85°C
PMS131, PMS130 系列：
通用系列
请勿使用于AC阻容降压供电，强电源纹波，或高EFT要求之应用
工作温度范围：-20°C ~ 70°C
1.2. 系统功能
时钟源：内部高频RC 振荡器（IHRC）、内部低频RC 振荡器（ILRC）、外部晶振
内置Band-gap 硬件模块输出1.20V 参考电压
内置一个硬件16 位计数器
内置两个硬件8 位计数器并可提供PWM 模式输出
内置一个12 通道 12 位分辨率 A/D 转换器
提供ADC 参考高电压: 外部输入, 内部VDD, Band-gap 1.20V, 4V, 3V, 2V
提供单周期（1T）8x8 硬件乘法器
提供快速唤醒模式
8 段LVR 设定~ 4.1V, 3.6V, 3.1V, 2.8V, 2.5V, 2.2V, 2.0V, 1.8V
14 个IO 引脚
四个可选择的外部中断引脚
每一IO 引脚都可以单独设置系统唤醒功能
工作电压：2.2V ~ 5.5V
工作频率与电压（晶体模式与IHRC 内部高频RC 振荡器模式相同）
DC ~ 8MHz@VDD≧3.1V DC ~ 4MHz@VDD≧2.5V
DC ~ 2MHz@VDD≧2.2V
低功耗特性：
Ioperating ~ 1.7mA@1MIPS, VDD=5.0V; Ioperating ~ 15uA@VDD=3.3V, ILRC 21kHz
Ipowerdown ~ 2uA@VDD=5.0V; Ipowerdown ~ 1uA@VDD=3.3V
1.3. 高性能RISC CPU 架构
工作模式：单一处理单元运作模式
1.5K OTP 程序存储器
88 Bytes 数据存储器
提供86 条指令
大部份指令都是单周期（1T）指令
弹性化的堆栈深度，可程序设定
提供数据与指令的直接、间接寻址模式
所有的数据存储器都可当数据指针（index pointer）